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PHT11N06 Fiches technique(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
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PHT11N06 Fiches technique(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
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3 / 10 page ![]() Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS ™ transistor PHT11N06T Standard level FET AVALANCHE LIMITING VALUE SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT W DSS Drain-source non-repetitive I D = 3.6 A; VDD ≤ 25 V; - - 60 mJ unclamped inductive turn-off V GS = 10 V; RGS = 50 Ω; Tsp = 25 ˚C energy December 1997 3 Rev 1.100 |
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