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IXFN170N30P Fiches technique(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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IXFN170N30P Fiches technique(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 3 page ![]() ISFM1025 eq IXFN170N30P N-Channel MOSFET www.iscsemi.com 2 THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 0.14 ℃ /W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 3mA 300 -- V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 300V; VGS= 0 -- 25 uA IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±20V;VDS= 0 -- ± 200 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID= 8mA 2.5 4.5 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID= 85A -- 18 mΩ VSD Forward On-Voltage IS= 85A; VGS= 0 -- 1.3 V |
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