BUT11AF datasheet(5/8 Pages) PHILIPS

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BUT11AF Fiches technique(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors

No de pièce	BUT11AF

Description	Silicon Diffused Power Transistor

PDF	8 Pages

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Fabricant	PHILIPS [NXP Semiconductors]

Site Internet	http://www.nxp.com

Logo

5 / 8 page

Philips Semiconductors

Product specification

Silicon Diffused Power Transistor

BUT11AF

Fig.11. Typical base-emitter and collector-emitter saturation voltages.

BEsat = f(IC); VCEsat = f(IC); IC/IB = 5

Fig.12. Collector-emitter saturation voltage. Solid lines = typ values,

dotted lines = max values. V

CEsat = f(IB); parameter IC

August 1997

Rev 1.000

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