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BST80 Fiches technique(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
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6 / 12 page ![]() 1997 Jun 20 6 Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor BST80 Fig.10 Temperature coefficient of drain-source on-state resistance; typical values. ID = 500 mA; VGS =10V. k R DSon at Tj R DSon at 25 ° C ----------------------------------------- = handbook, halfpage −50 0 50 150 3 0.5 k 2.5 100 2 1.5 1 MDA174 Tj ( oC) |
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