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BSP090 Fiches technique(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
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4 / 12 page ![]() 1997 Mar 13 4 Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor BSP090 Fig.2 Power derating curve. handbook, halfpage 0 15 Ptot (W) 10 5 0 50 100 200 150 Ts (°C) MGD716 δ = 0.01; Ts = 100 °C. (1) RDSon limitation. Fig.3 SOAR. handbook, halfpage −102 −10 −1 −10−1 −10−2 MGD727 −10−1 −1 VDS (V) ID (A) −10 −102 (1) tp = 10 µs 50 µs 100 µs 1 ms DC 10 ms 100 ms tp tp T P t T δ = |
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