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BFQ136 Fiches technique(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
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BFQ136 Fiches technique(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors |
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5 / 9 page ![]() September 1995 5 Philips Semiconductors Product specification NPN 4 GHz wideband transistor BFQ136 Fig.5 Transition frequency as a function of collector current. VCE = 15 V; f = 500 MHz; Tj =25 °C handbook, halfpage MEA262 4 2 1 0 1000 100 10 3 I (mA) C (GHz) f T 5 Fig.6 Maximum unilateral power gain as a function of frequency. IC = 500 mA; VCE = 15 V; Tamb =25 °C. handbook, halfpage MEA264 40 0 20 30 0.1 1 10 10 f (MHz) G UM (dB) |
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