30N06L-TN3-R datasheet(3/5 Pages) DOINGTER

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30N06L-TN3-R Fiches technique(PDF) 3 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

No de pièce	30N06L-TN3-R

Description	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

PDF	5 Pages

Scroll/Zoom	100%

Fabricant	DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]

Site Internet	http://www.doingter.cn/

Logo

3 / 5 page

1. Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature

www.doingter.cn

—

3 —

trr

Reverse Recovery Time

---

qrr

Reverse Recovery Charge

---

Notes:

Typical Characteristics： (T

C=25℃ unless otherwise noted)

2. EAS condition : TJ=25℃,VDD=30V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω

3. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤0.5%

---

30N06L-TN3-R

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