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HM5521 Fiches technique(PDF) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

No de pièce HM5521
Description  Built-in high-precision voltage detection circuit
PDF  9 Pages
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Fabricant  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
Site Internet  http://www.hmsemi.com/
Logo HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM5521 Fiches technique(HTML) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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5. 电气特性
（
VSS=0V，Ta＝25℃，除非特别说明）
项目
符号
条件
最小值
典型值
最大值
单位
输入电压
VDD-VSS 工作电压
VDSOP1
-
0
-
6
V
VDD-VM 工作电压
VDSOP2
-
-6
-
6
V
耗电流
工作电流
IDD
VDD=3.9V
3.0
6.0
uA
过放电时电流
IPD
VDD=2.0V
1.0
1.5
uA
检测电压
过充电检测电压
VCO
R1=100Ω
4.250
4.300
4.350
V
过充电释放电压
VCR
R1=100Ω
4.080
4.150
4.220
V
过放电检测电压
VDL
R1=100Ω
2.350
2.450
2.550
V
过放电释放电压
VDR
R1=100Ω
2.900
3.000
3.100
V
放电过流保护电流
1
IIOV1
VDD=3.5V
3.0
3.5
5.0
A
放电过流保护电流
2
IIOV2
VDD=3.5V
5
7
9
A
负载短路保护电流
IShort
VDD=3.5V
8
10
13
A
充电电流检测
ICHA
VDD=3.5V
2.8
3.5
5.5
A
延迟时间
过充电检测延迟时间
TOC
VDD=3.8V  4.5V
100
ms
过放电检测延迟时间
TOD
VDD=3.2V  2.2V
100
ms
放电过流
1 检测延迟时间
TDIP1
VDD=3.0V
20
ms
放电过流
2 检测延迟时间
TDIP2
VDD=3.0V
2.5
ms
负载短路检测延迟时间
TSIP
VDD=3.6V
150
μs
内置
MOSFET 参数
内置
MOSFET 导通内阻
Rds(on)
VDD=3.6V, IVM=1.0A,
40
48
58
mΩ
过温保护参数
过温保护检测温度
TSHD
150
℃
过温保护释放温度
TSHR
120
℃
向
0V 电池充电
允许向
0V 电池充电的电
压阀值
V0CH
允许允许向
0V 电池充
电功能
-
-
V
说明：*1、此温度范围内的参数是设计保证值，而非高、低温实测筛选。
HM552



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