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MMZ09312B Fiches technique(PDF) 13 Page - NXP Semiconductors

No de pièce MMZ09312B
Description  Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
PDF  28 Pages
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Fabricant  NXP [NXP Semiconductors]
Site Internet  http://www.nxp.com
Logo NXP - NXP Semiconductors

MMZ09312B Fiches technique(HTML) 13 Page - NXP Semiconductors

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background image
MMZ09312BT1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
TYPICAL CHARACTERISTICS — CDMA IS--95, 900 MHz, 3.3 V
Figure 22. S11 versus Frequency versus
Temperature
1000
--28
0
700
f, FREQUENCY (MHz)
760
--4
--8
--12
--16
--20
--24
--40C
820
880
940
25C
85C
Figure 23. S21 versus Frequency versus
Temperature
1000
10
38
700
f, FREQUENCY (MHz)
760
34
30
26
18
14
--40C
820
880
940
25C
85C
Figure 24. S22 versus Frequency versus
Temperature
1000
--28
0
700
f, FREQUENCY (MHz)
760
--4
--8
--12
--16
--20
--24
--40C
820
880
940
25C
85C
VCC1 =VCC2 =VBIAS =3.3 Vdc
22
VCC1 =VCC2 =VBIAS =3.3 Vdc
VCC1 =VCC2 =VBIAS =3.3 Vdc



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