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PJM2324NSA Fiches technique(PDF) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
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1 / 6 page ![]() PJM2324NSA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor Absolute Maximum Ratings (TA=25℃, unless otherwise noted) 1. Gate 2.Source 3.Drain Marking: S24 Schematic diagram SOT-23 3 1 2 Gate Source Drain Features Applications Trench FET Power MOSFET RDS(ON) < 234mΩ (VGS = 10V) RDS(ON) < 278mΩ (VGS = 4.5V) DC/DC Converter Load Switching Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ± 20 V Continuous Drain Current ID 2 A Pulsed Drain Current Note 1 IDM 8 A Total Power Dissipation PD 0.35 W Operating Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature TSTG - 55 to + 150 ℃ Thermal Characteristics Parameter Symbol Value Unit Thermal Resistance, Junction to Ambient Note2 RθJA 357 ℃ / W 1 / 6 www.pingjingsemi.com Revision:1.0 Sep-2018 |
Numéro de pièce similaire - PJM2324NSA |
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Description similaire - PJM2324NSA |
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