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LP3520

高性能副边同步整流驱动芯片

LP3520_CN_DS_Rev.1.3

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极限参数(注 1)

符号

参数

参数范围

单位

DET

内部高压供电端到芯片地的峰值电压

-0.3~45

内置同步整流 MOS 管漏端

-0.3~45

VCC

电源电压

-0.3~8

判定设置端

-0.3~8

PDMAX

功耗(注 2)

0.45

θJA

PN结到环境的热阻

145

℃/W

θJC

PN结到管壳的热阻

℃/W

工作结温范围

-40 to 150

℃

TSTG

储存温度范围

-55 to 150

℃

ESD (注 3)

注 1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全

保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数

规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。

注 2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由 TJMAX, θJA,和环境温度 TA 所决定的。最大允许功耗为 PDMAX = (TJMAX -

TA)/ θJA 或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。

注 3：人体模型，100pF 电容通过 1.5KΩ 电阻放电。

LP3520 Fiches technique(PDF) 3 Page - Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.

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