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ISCP57E Fiches technique(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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ISCP57E Fiches technique(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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1 / 2 page  isc website： www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon PNP Power Transistor ISCP57E DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -350V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.3V(Max)@ IC= -50mA, IB= -5mA · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Use in the audio power amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -400 V VCEO Collector-Emitter Voltage -350 V VEBO Emitter-Base voltage -6 V IC Collector Current-Continuous -0.3 A PC Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ 0.625 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ |
Numéro de pièce similaire - ISCP57E |
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Description similaire - ISCP57E |
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