HT3692D datasheet(5/7 Pages) HOTCHIP

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HT3692D

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万能充电器控制芯片

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Ver1.0

应用信息

电池检测

在电源断开的情况下接入电池，HT3692D 会通过

自动“极性识别”系统对电池进行相应控制。此时

L1－L5 的状态参见表 4.1 的描述。

电池空载

当电源连通而尚未接入电池时， BTP 与 BTN 两端

之间的电压差为 4.23V（典型值），L1－L5 的状

态参见表 4.1 的描述。

正常充电及饱和检测

电源连通并且接入未满电池,电源开始通过

HT3692D 的控制对电池进行充电，充电电流约为

400mA（典型值），电池两端电压缓缓升高，当电

池电压升高到 4.23V（典型值）时，充电过程结束，

电池已饱和。此过程中 L1－L5 的状态参见表 4.1

的描述。当电池电压<4.13V（典型值），才重新对

电池充电。

短路保护

若在电源接入后发生电池短路的情况，则

HT3692D 内部“短路保护”系统会自动将充电电

流减小至 25mA（典型值），同时给出短路状态指

示（L1－L5 状态参见表 4.1 的描述）。此时若电

池以正确极性接入则仍可以充电。

过温保护

若充电时芯片结温超过 TO（150 ℃ 典型值），内

部“过温保护”系统会自动将充电电流减小，直到

结温下降至 TR（130℃ 典型值），IC 恢复正常充

电状态。

PCB 设计指引

在设计 HT3692D PCB 时，需要遵循以下指南：

旁路电容：VDD 的旁路电容需要紧靠芯片 VDD

和 GND 引脚。

地线：电流采样电阻的功率地线尽可能短，且要

和芯片的地线及其它小信号的地线分头接到 Bulk

电容的地端。

功率环路：功率环路的面积要尽量小，以减小

EMI 辐射。芯片远离续流二极管等发热元件。

静电防护措施

MOS 电路为静电敏感器件，在生产、运输过程中

需采取下面的预防措施，可以有效防止 MOS 电路

由于受静电放电影响而引起的损坏：

1.操作人员要通过放静电腕带接地；

2.生产设备外壳必须接地；

3.装配过程中使用的工具必须接地；

4.必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。

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