GBS4A_18 datasheet(2/2 Pages) DIOTEC

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GBS4A ... GBS4M

Characteristics

Kennwerte

Forward voltage – Durchlass-Spannung

Tj = 25°C

IF = 2 A

< 1.05 V 1)

Leakage current – Sperrstrom

Tj = 25°C

VR = VRRM

< 5 µA 1)

Reverse recovery time – Sperrverzug

IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A

trr

typ. 1500 ns 1)

Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität

VR = 4 V

50 pF 1)

Thermal resistance junction to ambient (per device)

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)

RthA

< 40 K/W 2)

Thermal resistance junction to case (per device)

Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil)

RthC

< 12 K/W

Type

Typ

Recomm. protective resistance

Empf. Schutzwiderstand

Rt [Ω] 3)

Admiss. load capacitor at Rt

Zul. Ladekondensator mit Rt

CL [µF] 4)

GBS4A

0.5

10000

GBS4B

5000

GBS4D

2500

GBS4G

1250

GBS4J

700

GBS4K

550

GBS4M

450

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet

Valid per diode – Gültig pro Diode

Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden

Rt = VRRM / IFSM

Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded

Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert

CL = 5 ms / Rt

If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged mostly in a

single mains period. Hence, IFSM occurs as a single pulse only!

Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL nahezu in einer einzigen

Netzperiode geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf!

http://www.diotec.com/

Rated forward current versus ambient temperature

Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.

FAV

[%]

120

100

[°C]

150

100

-1

-2

[A]

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

0.4

0.8

1.0

1.2

1.4

[V] 1.8

T = 25°C

T = 125°C

180a-(4a-1v)

GBS4A Fiches technique(PDF) 2 Page - Diotec Semiconductor

GBS4A Fiches technique(HTML) 2 Page - Diotec Semiconductor

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