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1N3879R Fiches technique (PDF) - International Rectifier

1N3879R Datasheet PDF - International Rectifier
No de pièce 1N3879R
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description FAST RECOVERY DIODES

1N3879R Datasheet (PDF)

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1N3879R Datasheet PDF - International Rectifier

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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
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Description FAST RECOVERY DIODES

1N3879R Fiches technique (HTML) - International Rectifier

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1N3879R Détails du produit

FEATURES
■ Short reverse recovery time
■ Low stored charge
■ Wide current range
■ Excellent surge capabilities
■ Standard JEDEC types
■ Stud cathode and stud anode versions
■ Fully characterized reverse recovery conditions




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À propos de International Rectifier


International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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