IRFF9230 Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFF9230 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRFF9230

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)

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Description	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)

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IRFF9230 Détails du produit

200V, P-CHANNEL

The HEXFETtechnology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance. The HEXFET transistors also feature all of the well established advantages of MOSFETs such as volt

age control, very fast switching, ease of parelleling and temperature stability of the electrical parameters.

Features:

Repetitive Avalanche Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Hermetically Sealed

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Numéro de pièce similaire - IRFF9230

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	IRFF9230	328Kb / 7P	-4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFET February 1999
Seme LAB	IRFF9230	16Kb / 1P	P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39
New Jersey Semi-Conduct...	IRFF9230	115Kb / 2P	Avalanche-Energy-Rated P-Channel Power MOSFETs

Description similaire - IRFF9230

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	JANTX2N6847	130Kb / 7P	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
	IRFF9220	130Kb / 7P	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET?쏷RANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
	IRFF120	131Kb / 7P	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
	IRFF310	129Kb / 7P	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET?쏷RANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
	IRFF210	130Kb / 7P	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET?쏷RANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
	IRFF430	133Kb / 7P	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
	IRFF9110	143Kb / 7P	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
	IRFF9210	130Kb / 7P	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
	IRLF120	548Kb / 7P	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-39)
	JANTX2N6798	134Kb / 7P	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET?쏷RANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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