2SB1431 Fiches technique(PDF)

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2SB1431 Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

2SB1431 Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

Site Internet	http://www.iscsemi.cn

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isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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2SB1431 Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SB1431 Détails du produit

DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -100V(Min)
• High DC Current Gain-
: hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -3A)
• Low Collector Saturation Voltage
• 100% avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation

APPLICATIONS
• Designed for low-frequency power amplifiers and lowspeed switching applications.

Numéro de pièce similaire - 2SB1431

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SB1431	132Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
Renesas Technology Corp	2SB1431	257Kb / 8P	SILICON POWER TRANSISTOR
New Jersey Semi-Conduct...	2SB1431	131Kb / 2P	Silicon PNP Darlington Power Transistor
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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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