TSHF6410 Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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TSHF6410 Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

TSHF6410 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


No de pièce	TSHF6410

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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High Speed Infrared Emitting Diode

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	High Speed Infrared Emitting Diode

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TSHF6410 Détails du produit

• Package type: leaded
• Package form: T-1¾
• Dimensions (in mm): ø 5
• Peak wavelength: λp = 890 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: φ = ± 22°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• High modulation bandwidth: fc = 12 MHz
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC

Numéro de pièce similaire - TSHF6410

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	TSHF6410	109Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 04-Sep-08
	TSHF6410	111Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 25-Jun-09
	TSHF6410	113Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 23-Aug-11
	TSHF6410	113Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 23-Aug-11
	TSHF6410	111Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 25-Jun-09

Description similaire - TSHF6410

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Sharp Corporation	GL496	35Kb / 4P	High Speed Infrared Emitting Diode
Sharp Corporation	GL550	38Kb / 4P	High Speed Infrared Emitting Diode
Vishay Siliconix	VSMF9700-GS08	139Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm 03-Nov-09
	TSHG5210	109Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode 23-Aug-11
	VSMF9700X01	134Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode 24-Jul-14
	VSMF4720	132Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode 25-Sep-13
	VSMF4710	131Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode 25-Sep-13
	TSHG8400	106Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode 03-Sep-13
	VSMG3700	132Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode 24-Sep-13
	VSMY3850	130Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode 24-Sep-13

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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