2N7002E Fiches technique(PDF) - First Components International

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2N7002E Fiches technique (PDF) - First Components International

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Fabricant	FCI [First Components International]

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Super high dense cell design for low RDS (ON).

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Description	Super high dense cell design for low RDS (ON).

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2N7002E Détails du produit

FEATURES
● Super high dense cell design for low RDS(ON).
● Rugged and reliable.
● SOT-23 package.

Numéro de pièce similaire - 2N7002E

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	2N7002E	81Kb / 11P	N-channel TrenchMOS FET Rev. 02-26 April 2005
Diodes Incorporated	2N7002E	419Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30376 Rev. 5 - 2
Vishay Siliconix	2N7002E	85Kb / 5P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 13-Oct-03
Guangdong Kexin Industr...	2N7002E	45Kb / 1P	N-Channel Enhanceent Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor	2N7002E	104Kb / 5P	Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N?묬hannel, SOT??3 April, 2007 ??Rev. 1

Description similaire - 2N7002E

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
SamHop Microelectronics...	SDUD01N70	161Kb / 11P	Super high dense cell design for low RDS(ON).
	SDUD06N70	137Kb / 11P	Super high dense cell design for low RDS(ON).
	SDUD07N65	137Kb / 11P	Super high dense cell design for low RDS(ON).
	SP2106	115Kb / 7P	Super high dense cell design for low RDS(ON).
	SP2702	115Kb / 7P	Super high dense cell design for low RDS(ON).
	SP3902	118Kb / 7P	Super high dense cell design for low RDS(ON).
	SP4401	129Kb / 8P	Super high dense cell design for low RDS(ON).
	SP8007	120Kb / 8P	Super high dense cell design for low RDS(ON).
	SP8076	85Kb / 6P	Super high dense cell design for low RDS(ON).
	SP8601	103Kb / 7P	Super high dense cell design for low RDS(ON).

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