V40PWM10C Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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V40PWM10C Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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No de pièce	V40PWM10C

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A

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V40PWM10C Détails du produit

• Very low profile - typical height of 1.3 mm
• Trench MOS Schottky technology
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3

Numéro de pièce similaire - V40PWM10C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	V40PWM10C	142Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 17-Mar-2022
Vishay Siliconix	V40PWM10C	142Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 17-Mar-2022

Description similaire - V40PWM10C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	V10P6-M3	95Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 5 A 04-May-15
	VBT2080S-M3	95Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 14-May-13
	VBT3080C-M3	89Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 14-May-13
	V35PW12	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PW15	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM10	123Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM15	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM45	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PW12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.49 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PWM12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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