V20PWM12C Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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V20PWM12C Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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No de pièce	V20PWM12C

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V20PWM12C Détails du produit

Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

FEATURES
• Very low profile - typical height of 1.3 mm
• Trench MOS Schottky technology
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3

Numéro de pièce similaire - V20PWM12C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	V20PWM12C	141Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 17-Mar-2022

Description similaire - V20PWM12C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	V15P45	91Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 19-Apr-11
	V10P20	82Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 15-Aug-13
	V10P45-M3	84Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 06-May-15
	V10PN50-M3	85Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 04-Dec-13
	V12P45-M3	85Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 05-May-15
	V15PM12	78Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 03-Jul-15
	V20PW10	120Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jun-17
	V20PW10C	119Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jun-17
	V6KM45DU	135Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 1.5 A 26-Jul-2018
	V8KM60DU	135Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 2 A 18-Jul-2018

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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