STPSC8H065CT Fiches technique(PDF)

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STPSC8H065CT Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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High forward surge capability

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STPSC8H065CT Détails du produit

Description
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimized capacitive charge at turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in interleaved or bridgeless topologies, this dual-diode rectifier will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases. A1 K A2 A1 A2 K TO-220AB STPSC8H065CT

Numéro de pièce similaire - STPSC8H065CT

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	STPSC8H065-Y	611Kb / 12P	Automotive 650 V, 8 A high surge silicon carbide power Schottky diode 08-Oct-2025
	STPSC8H065B-TR	364Kb / 16P	650 V, 8 A high surge silicon carbide power Schottky diode 09-Jan-2020
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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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