STL190N4F7AG Fiches technique(PDF)

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STL190N4F7AG Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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High avalanche ruggedness

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STL190N4F7AG Détails du produit

Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

Numéro de pièce similaire - STL190N4F7AG

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	STL19N60M2	770Kb / 15P	Extremely low gate charge 27-Jan-2016
	STL19N60M6	575Kb / 14P	N-channel 600 V, 255 m typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package 13-Dec-2019
	STL19N65M5	1Mb / 17P	Excellent switching performance July 2013 Rev 1

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	STL86N3LLH6AG	1,009Kb / 16P	High avalanche ruggedness February 2015 Rev 3
	STP220N6F7	561Kb / 13P	High avalanche ruggedness 07-Oct-2015
	STL4P3LLH6	766Kb / 13P	High avalanche ruggedness 09-Dec-2014
	STL8N6F7	893Kb / 12P	High avalanche ruggedness 27-Aug-2015
	STL30P3LLH6	1Mb / 15P	High avalanche ruggedness 08-Jan-2014
	STS30N3LLH6	776Kb / 13P	High avalanche ruggedness July 2009 Rev 2

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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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