110N10F7 Fiches technique(PDF)

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110N10F7 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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High avalanche ruggedness

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110N10F7 Détails du produit

Description
This N-channel Power MOSFET utilizes the STripFET™ H7 technology with a trench gate structure combined with extremely low onresistance. The device also offers ultra-low capacitances for higher switching frequency operations. 1 2 3 4 PowerFLAT™ 5x6 AM15540v2 5 6 7 8 1 2 3 4 Top View D(5, 6, 7, 8) G(4) S(1, 2, 3)

Features
■ Among the lowest RDS(on) on the market
■ Excellent figure of merit (FoM)
■ Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
■ High avalanche ruggedness

Applications
■ Switching applications

Numéro de pièce similaire - 110N10F7

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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