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STD3NK80Z-1 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STD3NK80Z-1 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STD3NK80Z-1
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Taille du fichier   608.51 Kbytes
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET

STD3NK80Z-1 Datasheet (PDF)

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STD3NK80Z-1 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STD3NK80Z-1
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET

STD3NK80Z-1 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STD3NK80Z-1 Détails du produit

Description
The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications.
Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

Features
■ Extremely high dv/dt capability
■ 100% avalanche tested
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitances
■ Very good manufacturing repeatability

Application
■ Switching applications




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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