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STGW15S120DF3 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STGW15S120DF3 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STGW15S120DF3
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Taille du fichier   741.12 Kbytes
Page   18 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop

STGW15S120DF3 Datasheet (PDF)

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STGW15S120DF3 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STGW15S120DF3
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop

STGW15S120DF3 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STGW15S120DF3 Détails du produit

Description
This device is an IGBT developed using an
advanced proprietary trench gate field-stop
structure. The device is part of the S series of
1200 V IGBTs which is tailored to maximize
efficiency of low frequency industrial systems.
Furthermore, a positive VCE(sat) temperature
coefficient and tight parameter distribution result
in safer paralleling operation.

Features
• 10 µs of short-circuit withstand time
• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 15 A
• Tight parameter distribution
• Safer paralleling
• Low thermal resistance
• Soft and fast recovery antiparallel diode

Applications
• Industrial drives
• UPS
• Solar
• Welding




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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