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STD1HN60K3 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STD1HN60K3 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STD1HN60K3
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Taille du fichier   1447.2 Kbytes
Page   19 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 600 V, 6.7 Ω typ., 1.2 A SuperMESH3™ Power MOSFET in DPAK and IPAK packages

STD1HN60K3 Datasheet (PDF)

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STD1HN60K3 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STD1HN60K3
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 600 V, 6.7 Ω typ., 1.2 A SuperMESH3™ Power MOSFET in DPAK and IPAK packages

STD1HN60K3 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STD1HN60K3 Détails du produit

Description
These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low onresistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications. D(2, TAB) G(1) S(3) AM01476v1 DPAK IPAK 1 3 TAB 3 2 1 TAB

Features
■ 100% avalanche tested
■ Extremely high dv/dt capability
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitance
■ Improved diode reverse recovery characteristics
■ Zener-protected

Applications
■ Switching applications




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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