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STP26NM60ND Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STP26NM60ND Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STP26NM60ND
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Taille du fichier   1358.49 Kbytes
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Low input capacitance and gate charge

STP26NM60ND Datasheet (PDF)

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STP26NM60ND Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STP26NM60ND
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Description Low input capacitance and gate charge

STP26NM60ND Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STP26NM60ND Détails du produit

Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
• Extremely high dv/dt and avalanche capabilities

Applications
• Switching applications




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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