STD13NM60N Fiches technique(PDF)

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STD13NM60N Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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Low gate input resistance

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Description	Low gate input resistance

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STD13NM60N Détails du produit

Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

Applications
• Switching applications

Numéro de pièce similaire - STD13NM60N

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	STD13NM60N	989Kb / 21P	N-channel 600 V, 0.28 Ω typ., 11 A MDmesh™II Power MOSFET in TO-220FP, I²PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages 14-Nov-2012
Inchange Semiconductor ...	STD13NM60N	300Kb / 2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
STMicroelectronics	STD13NM60ND	1Mb / 21P	N-channel 600 V, 0.32 typ., 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK 15-May-2013
Inchange Semiconductor ...	STD13NM60ND	323Kb / 2P	isc N-Channel Mosfet Transistor

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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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