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STB21NM60ND Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STB21NM60ND Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STB21NM60ND
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Taille du fichier   559.02 Kbytes
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Low input capacitance and gate charge

STB21NM60ND Datasheet (PDF)

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STB21NM60ND Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STB21NM60ND
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Description Low input capacitance and gate charge

STB21NM60ND Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STB21NM60ND Détails du produit

Description
The FDmesh™ II series belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.

Features
■ The worldwide best RDS(on)*area amongst the fast recovery diode devices
■ 100% avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
■ Extremely high dv/dt and avalanche capabilities

Applications
■ Switching applications




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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