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STPSC5H12B-TR1 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STPSC5H12B-TR1 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STPSC5H12B-TR1
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description 1200 V power Schottky silicon carbide diode

STPSC5H12B-TR1 Datasheet (PDF)

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STPSC5H12B-TR1 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STPSC5H12B-TR1
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Description 1200 V power Schottky silicon carbide diode

STPSC5H12B-TR1 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STPSC5H12B-TR1 Détails du produit

Description
The SiC diode, available in TO-220AC and DPAK HV, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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