ADG636YRU Fiches technique(PDF) - Analog Devices

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ADG636YRU Fiches technique (PDF) - Analog Devices

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1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch

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ADG636YRU Détails du produit

GENERAL DESCRIPTION
The ADG636 is a monolithic device, comprising two independently selectable CMOS single pole, double throw (SPDT)
switches. When on, each switch conducts equally well in both
directions.
The ADG636 operates from a dual ±2.7 V to ±5.5 V supply, or from a single supply of +2.7 V to +5.5 V.

FEATURES
   1 pC charge injection
   ±2.7 V to ±5.5 V dual supply
   +2.7 V to +5.5 V single supply
   Automotive temperature range: −40°C to +125°C
   100 pA (maximum at 25°C) leakage currents
   85 Ω typical on resistance
   Rail-to-rail operation
   Fast switching times
   Typical power consumption (<0.1 μW)
   TTL-/CMOS-compatible inputs
   14-lead TSSOP package

APPLICATIONS
   Automatic test equipment
   Data acquisition systems
   Battery-powered instruments
   Communication systems
   Sample-and-hold systems
   Remote-powered equipment
   Audio and video signal routing
   Relay replacement
   Avionics

Numéro de pièce similaire - ADG636YRU

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Analog Devices	ADG636YRU	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
	ADG636YRU-REEL	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
	ADG636YRUZ-REEL1	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
	ADG636YRUZ-REEL71	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
	ADG636YRUZ1	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B

Description similaire - ADG636YRU

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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Analog Devices	ADG604	155Kb / 12P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 짹5 V/5 V/3 V 4-Channel Multiplexer REV. 0
Vishay Siliconix	DG636	190Kb / 10P	0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch 04-Feb-08
Vishay Siliconix	DG636	192Kb / 13P	0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch 02-Aug-10
Analog Devices	ADG611	361Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V, Quad SPST Switches REV. A
	ADG604YRUZ	162Kb / 12P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5,-5 V/5 V/3 V 4-Channel Multiplexer REV. 0
	ADG636YRU-REEL	498Kb / 16P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch REV. B
Vishay Siliconix	DG9232E	276Kb / 12P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, 5 V / 3 V, Dual SPST Analog Switches 25-Jul-16
	DG9234E	277Kb / 12P	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, 5 V / 3 V, Dual SPST Analog Switches 25-Jul-16
	DG636	240Kb / 15P	0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch 08-Dec-14

À propos de Analog Devices

Analog Devices, Inc. (ADI) est une entreprise cotée en bourse qui conçoit, développe et fabrique des circuits intégrés analogiques, de signal mixte et de signal numérique (DSP) (ICS).
L'entreprise a été fondée en 1965 et a son siège à Norwood, Massachusetts.
L'ADI dessert un large éventail d'industries, notamment l'aérospatiale et la défense, l'automobile, les communications, les consommateurs, l'industrie, le médical et le test et la mesure.
Le portefeuille de produits de l'entreprise comprend des convertisseurs de données, des amplificateurs et des comparateurs, des circuits intégrés de gestion de l'alimentation, des microcontrôleurs, des capteurs et des composants radiofréquences (RF) et des micro-ondes, entre autres.
ADI se consacre à l'innovation et à la satisfaction des clients et s'engage à fournir à ses clients des solutions fiables de haute qualité pour répondre à leurs besoins.
En mettant l'accent sur l'efficacité énergétique et la durabilité, ADI est un leader de l'industrie des circuits intégrés analogiques et mixtes, stimulant les progrès technologiques et fournissant des solutions innovantes aux problèmes les plus difficiles du monde.

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