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SIR874DP Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

SIR874DP Datasheet PDF - Vishay Siliconix
No de pièce SIR874DP
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Taille du fichier   652.33 Kbytes
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

SIR874DP Datasheet (PDF)

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SIR874DP Datasheet PDF - Vishay Siliconix

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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

SIR874DP Fiches technique (HTML) - Vishay Siliconix


SIR874DP Détails du produit

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET® Gen III Power MOSFET
• Low Thermal Resistance PowerPAK®
Package with Low 1.07 mm Profile
• Optimized for High-Side Synchronous Rectifier
Operation
• 100 % Rg Tested
• 100 % UIS Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/96/EC




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À propos de Vishay Siliconix


Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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