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TPCS8212 Fiches technique (PDF) - Toshiba Semiconductor
TPCS8212 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
No de pièce TPCS8212
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Taille du fichier   340.7 Kbytes
Page   7 Pages
Fabricant  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Site Internet  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Description Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

TPCS8212 Datasheet (PDF)

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TPCS8212 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor

No de pièce TPCS8212
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Fabricant  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Site Internet  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Description Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

TPCS8212 Fiches technique (HTML) - Toshiba Semiconductor


TPCS8212 Détails du produit

Lithium Ion Battery Applications

• Small footprint due to small and thin package
• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 16 mΩ (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 11 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 20 V)
• Enhancement mode: Vth = 0.5~1.2 V (VDS = 10 V, ID = 200 μA)
• Common drain




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