STP24N60DM2 Fiches technique(PDF) - STMicroelectronics

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STP24N60DM2 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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Fabricant	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Site Internet	http://www.st.com

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N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages

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Fabricant	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Site Internet	http://www.st.com

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Description	N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages

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STP24N60DM2 Détails du produit

Description
These FDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Features
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Lower RDS(on) x area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
• Extremely high dv/dt and avalanche capabilities

Applications
• Switching applications

Numéro de pièce similaire - STP24N60DM2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	STP24N60M2	1Mb / 22P	N-channel 600 V, 0.168 Ω typ., 18 A MDmesh II Plus??low Qg Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages 28-May-2013
	STP24N60M2	1Mb / 22P	N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK 28-May-2013
	STP24N60M6	268Kb / 13P	N-channel 600 V, 162 m typ., 17 A, MDmesh™ M6 Power MOSFET in a TO-220 package 01-Aug-2018

Description similaire - STP24N60DM2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	STW34NM60ND	1Mb / 22P	N-channel 600 V, 0.097 Ohm typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 01-Oct-2012
	STP24N60M2	1Mb / 22P	N-channel 600 V, 0.168 Ω typ., 18 A MDmesh II Plus??low Qg Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages 28-May-2013
	STB24N60M2	1Mb / 22P	N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK 28-May-2013
	STF40N60M2	1Mb / 22P	N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages 13-May-2014
	STFI40N60M2	1Mb / 21P	N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages 13-May-2014
	STW33N60M2	1Mb / 20P	N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages November 2013 Rev 2
	STF9N60M2	884Kb / 15P	N-channel 600 V, 0.72 ??typ., 5.5 A MDmesh II Plus??low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packages 10-Mar-2014
	STB28NM60ND	1Mb / 22P	N-channel 600 V, 0.13 Ω typ., 23 A FDmesh™ II Power MOSFETs in D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages 05-May-2014
	STP13N60M2	1Mb / 18P	N-channel 600 V, 0.35 Ω typ., 11 A MDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packages February 2014 Rev 5

À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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