KTD1510 Fiches technique(PDF)

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KTD1510 Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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KTD1510 Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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KTD1510 Détails du produit

DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
    : V(BR)CEO= 150V(Min)
• Collector-Emitter Saturation Voltage-
    : VCE(sat)= 2.5V(Max) @IC= 7A
• High DC Current Gain
    : hFE= 5000(Min) @ IC= 7A, VCE= 4V
• Complement to Type KTB2510

APPLICATIONS
• High power amplifier applications
• Recommended for 60W audio amplifier output stage

Numéro de pièce similaire - KTD1510

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
KEC(Korea Electronics)	KTD1510	300Kb / 3P	TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON)
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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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