2SD1950 Fiches technique(PDF)

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2SD1950 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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2SD1950 Détails du produit

DESCRIPTION
The 2SD1950 is designed for general-purpose applications requiring High DC Current Gain.
This is suitable for all kind of driving or muting.

FEATURES
● High DC Current Gain and Good hFE linearity.
hFE = 800 to 3 200 (VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A)
● Low Collector Saturation Voltage.
VCE(sat) = 0.18 V TYP. (IC = 1.0 A, IB = 10 mA)
● High VEBO : VEBO = 15 15V

Numéro de pièce similaire - 2SD1950

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SD1950	255Kb / 4P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
Guangdong Kexin Industr...	2SD1950	51Kb / 1P	NPN Silicon Epitaxia
Renesas Technology Corp	2SD1950-T1-AZ	1Mb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
Renesas Technology Corp	2SD1950	1Mb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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