UMC3NT1 Fiches technique(PDF) - ON Semiconductor

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UMC3NT1 Fiches technique (PDF) - ON Semiconductor

UMC3NT1 Datasheet PDF - ON Semiconductor


No de pièce	UMC3NT1

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

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Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

Site Internet	http://www.onsemi.com

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Description	Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors

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UMC3NT1 Détails du produit

Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors

NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base−emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the UMC2NT1 series, two complementary BRT devices are housed in the SOT−353 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.

Features
• Simplifies Circuit Design
• Reduces Board Space
• Reduces Component Count
• Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel
• Pb−Free Packages are Available

Numéro de pièce similaire - UMC3NT1

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	UMC3NT1	86Kb / 10P	Dual Common Base?묬ollector Bias Resistor Transistors April, 2006 ??Rev. 6
	UMC3NT1G	86Kb / 10P	Dual Common Base?묬ollector Bias Resistor Transistors April, 2006 ??Rev. 6
	UMC3NT1G	164Kb / 10P	Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors October, 2009 ??Rev. 8
	UMC3NT1G	178Kb / 11P	Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors December, 2011 ??Rev. 10
	UMC3NT1G	211Kb / 12P	Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors January, 2022 ??Rev. 11

Description similaire - UMC3NT1

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	EMC2DXV5T1	72Kb / 10P	Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors September, 2003 ??Rev. 1
	NSTB1002DXV5	63Kb / 6P	Dual Common Base?묬ollector Bias Resistor Transistors January, 2006 ??Rev. 0
	NSTB1005DXV5	62Kb / 6P	Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors March, 2004 ??Rev. 0
	NSB1010XV5T5	100Kb / 6P	Dual Common Base?묬ollector Bias Resistor Transistors January, 2005 ??Rev. 0
	EMC2DXV5T1G	143Kb / 11P	Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors October, 2010 ??Rev. 6
	NSTB1005DXV5T1G	108Kb / 5P	Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors October, 2010 ??Rev. 1
	UMC2NT1G	164Kb / 10P	Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors October, 2009 ??Rev. 8
	EMC2DXV5T1G	105Kb / 11P	Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors May, 2014 ??Rev. 7
	UMC2NT1G	178Kb / 11P	Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors December, 2011 ??Rev. 10
	UMC2NT1G	211Kb / 12P	Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors January, 2022 ??Rev. 11

À propos de ON Semiconductor

ON Semiconductor est une entreprise cotée en bourse qui conçoit, développe et fabrique une large gamme de produits semi-conducteurs pour une variété d'applications, notamment les marchés automobiles, informatiques, biens de consommation, industriels et communications.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Phoenix, en Arizona.
On Semiconductor offre un large portefeuille de gestion de l'énergie, des semi-conducteurs analogiques et discrets, notamment des MOSFET de puissance, des diodes, des redresseurs, des régulateurs de tension, entre autres.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour être économes en énergie, fiables et rentables et sont utilisés dans une variété d'applications, notamment l'électronique portable, les systèmes d'automatisation industrielle, les systèmes d'énergie renouvelable et l'électronique automobile.
On Semiconductor s'engage dans l'innovation et la satisfaction des clients, et s'engage à fournir les meilleures solutions de semi-conducteurs pour répondre aux besoins de nos clients.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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