IRF530 Fiches technique(PDF) - ON Semiconductor

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IRF530 Fiches technique (PDF) - ON Semiconductor

IRF530 Datasheet PDF - ON Semiconductor


No de pièce	IRF530

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

Site Internet	http://www.onsemi.com

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N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate

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IRF530 Détails du produit

TMOS E−FET.™ Power Field Effect Transistor
N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate

This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain−to−source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, and PWM motor controls. These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating area are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified
• Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Numéro de pièce similaire - IRF530

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Motorola, Inc	IRF530	157Kb / 2P	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
STMicroelectronics	IRF530	47Kb / 3P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Jun-1988
Transys Electronics	IRF530	481Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE
Samsung semiconductor	IRF530	354Kb / 6P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Fairchild Semiconductor	IRF530	180Kb / 6P	N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V

Description similaire - IRF530

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	MTD6N15T4G	125Kb / 6P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate May, 2013 ??Rev. 5
	NTP30N20G	164Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode TO??20 March, 2006 ??Rev. 5
	NTB35N15T4G	86Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK August, 2005 ??Rev. 5
	NTB13N10T4G	83Kb / 8P	100 V, 13 A, N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK August, 2005 ??Rev. 6
	MTP10N40E	234Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 1
	MTP2N40E	213Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 1
	MTP3N50E	236Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 2
	NTMS4P01R2	232Kb / 8P	P?묬hannel Enhancement?묺ode Power MOSFET August, 2006 ??Rev. 1
	NTLTD7900N	82Kb / 6P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate October, 2005 ??Rev. 1
	NTP22N06	200Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 2

À propos de ON Semiconductor

ON Semiconductor est une entreprise cotée en bourse qui conçoit, développe et fabrique une large gamme de produits semi-conducteurs pour une variété d'applications, notamment les marchés automobiles, informatiques, biens de consommation, industriels et communications.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Phoenix, en Arizona.
On Semiconductor offre un large portefeuille de gestion de l'énergie, des semi-conducteurs analogiques et discrets, notamment des MOSFET de puissance, des diodes, des redresseurs, des régulateurs de tension, entre autres.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour être économes en énergie, fiables et rentables et sont utilisés dans une variété d'applications, notamment l'électronique portable, les systèmes d'automatisation industrielle, les systèmes d'énergie renouvelable et l'électronique automobile.
On Semiconductor s'engage dans l'innovation et la satisfaction des clients, et s'engage à fournir les meilleures solutions de semi-conducteurs pour répondre aux besoins de nos clients.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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