MX043G Fiches technique(PDF) - Microsemi Corporation

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MX043G Fiches technique (PDF) - Microsemi Corporation

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Fabricant	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

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RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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Fabricant	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

Site Internet	http://www.microsemi.com

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Description	RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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MX043G Détails du produit

Features
• Harris FSC260R die
• total dose: 100 kRAD(Si) within pre-radiation parameter limits
• dose rate: 3 x 109RAD(Si)/sec @ 80%BVDSS typical
• dose rate: 2 x 1012RAD(Si)/sec @ ID £IDM typical
• neutron: 1013 neutrons/cm2 within pre-radiation parameter limits
• photocurrent: 17 nA/RAD(Si)/sec typical
• rated Safe Operating Area Curve for Single event Effects
• rugged polysilicon gate cell structure with ultrafast body diode
• low inductance surface mount power package available with “J-leads” (MX043J) or “gullwing-leads” (MX043G)
• very low thermal resistance
• reverse polarity available upon request add suffix “R”st

Numéro de pièce similaire - MX043G

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Microsemi Corporation	MX040-20	38Kb / 2P	ELP EXTRA LOW PROFILE STANDARD RECTIFIER

Description similaire - MX043G

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	FSGS230R	78Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFET June 2000
	FSGYC260R	82Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFET May 2000
	FSGYE230R	81Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFET May 2000
	FSJ163D	56Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs June 1999
	FSL214D	57Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs October 1998
	FSPL230R	81Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs June 2000
	FSPYE230R	83Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs May 2000
	FSYA450D	56Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs March 1999
	FSYC055D	49Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs July 1998
	FSYE430D	58Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs June 1999

À propos de Microsemi Corporation

Microsemi Corporation était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de solutions de semi-conducteurs et de systèmes.
La société a été fondée en 1960 et a eu son siège à Aliso Viejo, en Californie.
Microsemi a fourni une large gamme de produits, notamment des circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes, des réseaux de portes programmables sur le terrain (FPGA), des produits de gestion et de contrôle de l'alimentation et d'autres solutions de semi-conducteurs.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que la défense et la sécurité, l'aérospatiale et l'aviation, l'industrie et les communications.
Microsemi était connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2018, Microsemi a été acquis par Microchip Technology, un principal fournisseur de produits de microcontrôleur, de signal mixte, analogique et de sécurité.
La marque Microsemi n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille de Microchip.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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