MRF4427R2 Fiches technique(PDF) - Microsemi Corporation

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MRF4427R2 Fiches technique (PDF) - Microsemi Corporation

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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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Description	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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MRF4427R2 Détails du produit

DESCRIPTION: Designed for general-purpose RF amplifier applications, such as; pre-drivers, Oscillators, etc.

Features
• Low Cost SO-8 Plastic Surface Mount Package.
• S-Parameter Characterization
• Tape and Reel Packaging Options Available
• Low Voltage Version of MRF3866
• Maximum Available Gain – 20dB(typ) @ 200MHz

Numéro de pièce similaire - MRF4427R2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Advanced Power Technolo...	MRF4427R2	213Kb / 5P	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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À propos de Microsemi Corporation

Microsemi Corporation était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de solutions de semi-conducteurs et de systèmes.
La société a été fondée en 1960 et a eu son siège à Aliso Viejo, en Californie.
Microsemi a fourni une large gamme de produits, notamment des circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes, des réseaux de portes programmables sur le terrain (FPGA), des produits de gestion et de contrôle de l'alimentation et d'autres solutions de semi-conducteurs.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que la défense et la sécurité, l'aérospatiale et l'aviation, l'industrie et les communications.
Microsemi était connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2018, Microsemi a été acquis par Microchip Technology, un principal fournisseur de produits de microcontrôleur, de signal mixte, analogique et de sécurité.
La marque Microsemi n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille de Microchip.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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