F2N60 Fiches technique(PDF) - Unisonic Technologies

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F2N60 Fiches technique (PDF) - Unisonic Technologies

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N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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Description	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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F2N60 Détails du produit

DESCRIPTION
The UTC F2N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

FEATURES
* RDS(ON) = 5Ω@VGS = 10V
* Ultra Low gate charge (typical 16nC)
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
* Improved dv/dt capability, high ruggedness

Numéro de pièce similaire - F2N60

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Jiangsu Donghai Semicon...	F2N60	1Mb / 13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	F2N60	1Mb / 13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	F2N60	1Mb / 13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	F2N60	1Mb / 13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	F2N60	1Mb / 13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description similaire - F2N60

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Microsemi Corporation	PPNGZ52F120A	102Kb / 3P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Advanced Power Electron...	AP25G45GEM	69Kb / 3P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Silicon Standard Corp.	SSM20G45EGH	763Kb / 7P	N-channel Insulated-Gate Bipolar Transistor
Silicon Standard Corp.	SSM28G45EM	263Kb / 4P	N-CHANNEL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Unisonic Technologies	UG25N45	184Kb / 3P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Advanced Power Electron...	AP20GT60P-HF	65Kb / 3P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	AP30G40GEO-HF	60Kb / 3P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	AP40G120W	99Kb / 3P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Unisonic Technologies	1N50A	194Kb / 5P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Unisonic Technologies	30N06V-Q	205Kb / 6P	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

À propos de Unisonic Technologies

UNISONIC TECHNOLOGIES est une société de semi-conducteurs taïwanais spécialisée dans la conception, la fabrication et les ventes de circuits de gestion de l'alimentation et de circuits intégrés analogiques. La société a été fondée en 1980 et a une présence mondiale, avec des bureaux et des installations en Asie, en Europe et dans les Amériques.

UNISONIC TECHNOLOGIES fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des ICS de gestion de l'alimentation, des régulateurs de tension linéaire et des circuits intégrés de contrôle moteur. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment l'électronique grand public, l'automobile, l'industrie et les télécommunications. Unisonic Technologies est connue pour son expertise dans la technologie de gestion de l'énergie et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients.

Ces dernières années, UNISONIC TECHNOLOGIES a élargi son portefeuille de produits et ses offres pour inclure des solutions pour l'Internet des objets (IoT) et les marchés énergétiques intelligents. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement dans le développement de nouvelles technologies et solutions pour l'industrie des semi-conducteurs. UNISONIC TECHNOLOGIES est un leader reconnu du marché de la gestion de l'énergie et des CI analogiques et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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