VB20100SG Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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VB20100SG Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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No de pièce	VB20100SG

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

VB20100SG Fiches technique (HTML) - Vishay Siliconix

VB20100SG Détails du produit

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Low thermal resistance
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,
per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and
TO-262AA package)

Numéro de pièce similaire - VB20100SG

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	VB20100SG	149Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 08-Oct-09
	VB20100SG	146Kb / 5P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 09-Sep-13
	VB20100SG	216Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 18-Jun-2018
	VB20100SG-E3-4W	149Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 08-Oct-09
	VB20100SG-E3-8W	149Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 08-Oct-09

Description similaire - VB20100SG

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	V20100SG	160Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 19-Oct-07
	V20100C	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V20120S	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30120C	168Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30120C	158Kb / 5P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 16-Aug-13
	VT760-E3	141Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 15-Dec-16
	V20100C-E3	167Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 13-Dec-16
	V30120C-E3	157Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 12-Dec-16
	VB60170G-E3	95Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 11-Sep-13

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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