2N3906S Fiches technique(PDF) - KEC(Korea Electronics)

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2N3906S Fiches technique (PDF) - KEC(Korea Electronics)

2N3906S Datasheet PDF - KEC(Korea Electronics)


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Fabricant	KEC [KEC(Korea Electronics)]

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EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

2N3906S Datasheet (PDF)

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Description	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

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2N3906S Détails du produit

GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.

FEATURES
• Low Leakage Current
: ICEX=-50nA(Max.), IBL=-50nA(Max.)
@VCE=-30V, VEB=-3V.
• Excellent DC Current Gain Linearity.
• Low Saturation Voltage
: VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA.
• Low Collector Output Capacitance
: Cob=4.5pF(Max.) @VCB=-5V.
• Complementary to 2N3904S.

Numéro de pièce similaire - 2N3906S

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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Inchange Semiconductor ...	2N3906S	296Kb / 3P	isc Silicon PNP Power Transistor
First Silicon Co., Ltd	2N3906S	205Kb / 6P	General Purpose Transistors
First Silicon Co., Ltd	2N3906S-AB	473Kb / 4P	General Purpose Transistors PNP Silicon 2022. 04. 28 Revision No :0

Description similaire - 2N3906S

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