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IRG4RC10UD Fiches technique (PDF) - International Rectifier
IRG4RC10UD Datasheet PDF - International Rectifier
No de pièce IRG4RC10UD
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Taille du fichier   191.19 Kbytes
Page   10 Pages
Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

IRG4RC10UD Datasheet (PDF)

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IRG4RC10UD Datasheet PDF - International Rectifier

No de pièce IRG4RC10UD
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

IRG4RC10UD Fiches technique (HTML) - International Rectifier


IRG4RC10UD Détails du produit

UltraFast CoPack IGBT

Features
• UltraFast: Optimized for medium operating frequencies ( 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard TO-252AA package

Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Lower losses than MOSFETs conduction and Diode losses




Numéro de pièce similaire - IRG4RC10UD

FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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International Rectifier		 IRG4RC10UDPBF IRF-IRG4RC10UDPBF Datasheet
308Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4RC10UDPBF IRF-IRG4RC10UDPBF Datasheet
308Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRG4PH20KD IRF-IRG4PH20KD Datasheet
276Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10K IRF-IRG4RC10K Datasheet
134Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10KD IRF-IRG4RC10KD Datasheet
190Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
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À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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