IRG4BC40W Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRG4BC40W Fiches technique (PDF) - International Rectifier

IRG4BC40W Datasheet PDF - International Rectifier


No de pièce	IRG4BC40W

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Taille du fichier	129.45 Kbytes

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Description	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)

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IRG4BC40W Détails du produit

Features
• Designed expressly for Switch-Mode Power
   Supply and PFC (power factor correction)
   applications
• Industry-benchmark switching losses improve
   efficiency of all power supply topologies
• 50% reduction of Eoff parameter
• Low IGBT conduction losses
• Latest-generation IGBT design and construction offers
   tighter parameters distribution, exceptional reliability

Benefits
• Lower switching losses allow more cost-effective
   operation than power MOSFETs up to 150 kHz
   ("hard switched" mode)
• Of particular benefit to single-ended converters and
   boost PFC topologies 150W and higher
• Low conduction losses and minimal minority-carrier
   recombination make these an excellent option for
   resonant mode switching as well (up to >>300 kHz)

Numéro de pièce similaire - IRG4BC40W

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Inchange Semiconductor ...	IRG4BC40W	602Kb / 3P	Standard IGBT
International Rectifier	IRG4BC40WL	343Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	IRG4BC40WPBF	207Kb / 9P	ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	IRG4BC40WPBF	283Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	IRG4BC40WPBF	283Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Description similaire - IRG4BC40W

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRG4BC20U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
	IRG4BC30K	137Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
	IRG4BC30U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4BC40U	169Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC30F	145Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
	IRG4PC40U	148Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC40W	116Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC50F	146Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
	IRG4PSC71U	151Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A)
	IRG4BC30KS	263Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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