IRG4BC40K Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRG4BC40K Fiches technique (PDF) - International Rectifier

IRG4BC40K Datasheet PDF - International Rectifier


No de pièce	IRG4BC40K

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Taille du fichier	156.96 Kbytes

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Description

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Description	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)

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IRG4BC40K Détails du produit

Features
• Short Circuit Rated UltraFast: optimized for high
   operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit
   Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V
• Generation 4 IGBT design provides higher efficiency
   than Generation 3
• Industry standard TO-247AC package

Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
• IGBTs optimized for specified application conditions

Numéro de pièce similaire - IRG4BC40K

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRG4BC40K	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours
	IRG4BC40KD	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours
	IRG4BC40KPBF	574Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	IRG4BC40KPBF	284Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
	IRG4BC40KPBF	284Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Description similaire - IRG4BC40K

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRG4BC20U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
	IRG4BC30K	137Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
	IRG4BC30U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4BC40U	169Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC30F	145Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
	IRG4PC40K	119Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRG4PC40KD	182Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)
	IRG4PC40U	148Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC40W	116Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRG4PC50F	146Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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