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IRG4BC20UD Fiches technique (PDF) - International Rectifier
IRG4BC20UD Datasheet PDF - International Rectifier
No de pièce IRG4BC20UD
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Taille du fichier   236.9 Kbytes
Page   10 Pages
Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

IRG4BC20UD Datasheet (PDF)

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IRG4BC20UD Datasheet PDF - International Rectifier

No de pièce IRG4BC20UD
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Taille du fichier   236.9 Kbytes
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

IRG4BC20UD Fiches technique (HTML) - International Rectifier


IRG4BC20UD Détails du produit

Features
• UltraFast: optimized for high operating
   frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
   kHz in resonant mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter
   parameter distribution and higher efficiency than
   Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast,
   ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
   bridge configurations
• Industry standard TO-220AB package

Benefits
• Generation -4 IGBTs offer highest efficiencies
   available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with
   IGBTs. Minimized recovery characteristics require
   less/no snubbing
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
   industry-standard Generation 3 IR IGBTs




Numéro de pièce similaire - IRG4BC20UD

FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
logo
International Rectifier		 IRG4BC20UD IRF-IRG4BC20UD Datasheet
98Kb / 35P		 Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4BC20UD-S IRF-IRG4BC20UD-S Datasheet
235Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC20UD-S IRF-IRG4BC20UD-S Datasheet
256Kb / 13P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC20UD-SPBF IRF-IRG4BC20UD-SPBF Datasheet
301Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC20UD-SPBF IRF-IRG4BC20UD-SPBF Datasheet
365Kb / 11P		 ULTRA FAST COPACK IGBT
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FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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International Rectifier		 IRG4BC10UD IRF-IRG4BC10UD Datasheet
184Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4BC15UD-S IRF-IRG4BC15UD-S Datasheet
210Kb / 12P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
IRG4BC20MD IRF-IRG4BC20MD Datasheet
251Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
IRG4BC20MDS IRF-IRG4BC20MDS Datasheet
200Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
IRG4BC20U IRF-IRG4BC20U Datasheet
167Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC20UDS IRF-IRG4BC20UDS Datasheet
235Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC20W IRF-IRG4BC20W Datasheet
130Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC20WS IRF-IRG4BC20WS Datasheet
152Kb / 9P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRGBC20UD2 IRF-IRGBC20UD2 Datasheet
427Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4PC20UPBF IRF-IRG4PC20UPBF Datasheet
693Kb / 8P		 UltraFast Speed 1GBT (VCES=600V , VCE(on)typ.=1.85V , @VGE=15V , Ic=6.5A )
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À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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