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IRG4BC15UD-L Fiches technique (PDF) - International Rectifier
IRG4BC15UD-L Datasheet PDF - International Rectifier
No de pièce IRG4BC15UD-L
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Taille du fichier   210.62 Kbytes
Page   12 Pages
Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)

IRG4BC15UD-L Datasheet (PDF)

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IRG4BC15UD-L Datasheet PDF - International Rectifier

No de pièce IRG4BC15UD-L
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)

IRG4BC15UD-L Fiches technique (HTML) - International Rectifier


IRG4BC15UD-L Détails du produit

UltraFast CoPack IGBT

Features
• UltraFast: Optimized for high frequencies from10 to
   30 kHz in hard switching
• IGBT Co-packaged with ultra-soft-recovery
   antiparallel diode
• Industry standard D2Pak & TO-262 packages

Benefits
• Best Value for Appliance and Industrial Applications
• High noise immune "Positive Only" gate drive-
   Negative bias gate drive not necessary
• For Low EMI designs- requires little or no snubbing
• Single Package switch for bridge circuit applications
• Compatible with high voltage Gate Driver ICs
• Allows simpler gate drive




Numéro de pièce similaire - IRG4BC15UD-L

FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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International Rectifier		 IRG4BC15UD-L IRF-IRG4BC15UD-L Datasheet
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184Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
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255Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
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199Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20MDS IRF-IRG4BC20MDS Datasheet
200Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
IRG4BC20UDS IRF-IRG4BC20UDS Datasheet
235Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC30UD IRF-IRG4BC30UD Datasheet
234Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
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À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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