IRFZ48V Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFZ48V Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRFZ48V

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A)

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IRFZ48V Détails du produit

Description
Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

1. Advanced Process Technology
2. Ultra Low On-Resistance
3. Dynamic dv/dt Rating
4. 175°C Operating Temperature
5. Fast Switching
6. Fully Avalanche Rated

Numéro de pièce similaire - IRFZ48V

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Kersemi Electronic Co.,...	IRFZ48V	2Mb / 8P	HEXFET Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFZ48V	338Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFZ48VPBF	223Kb / 8P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRFZ48VPBF	3Mb / 8P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRFZ48VPBF	223Kb / 8P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

Description similaire - IRFZ48V

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRF1010E	195Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A?
	IRF1010ES	123Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84A??
	IRF3708	138Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A)
	IRF7467	114Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=11A)
	IRFIZ48V	93Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=39A)
	IRFP4710	103Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.014ohm, Id=72A)
	IRFZ24V	200Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A)
	IRFZ44VZ	298Kb / 12P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
	IRFZ48VS	282Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A)
	IRL3103S	125Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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